Datasheet下载- 型号： PSMN3R4-30BLE,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN3R4-30BLE,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN3R4-30BLE,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN3R4-30BLE,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN3R4-30BLE,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN3R4-30BLE,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PSMN3R4-30BLE,118是一款30V、3.4mΩ（典型值）的N沟道逻辑电平增强型MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具备低导通电阻、高功率密度和优异热性能。其主要应用场景包括： - 电源管理：广泛用于DC-DC转换器（如Buck、Boost拓扑）的同步整流开关，提升效率；适用于服务器、通信设备及工业电源中的负载点（POL）转换器。 - 电机驱动：适用于小功率直流电机、步进电机驱动电路中的H桥或半桥开关，尤其适合电池供电设备（如电动工具、扫地机器人、无人机电调模块），得益于其低Rds(on)可降低导通损耗与温升。 - 负载开关与热插拔保护：在FPGA、ASIC、DDR内存等数字系统中用作高效、快速响应的电源通断控制（e.g., 12V/5V/3.3V域隔离），支持软启动与过流保护设计。 - LED驱动与照明控制：用于智能LED驱动器中的PWM调光开关，实现高效率、低发热的恒流控制。 - 汽车电子（符合AEC-Q101）：适用于车身控制模块（BCM）、车灯驱动、风扇控制、座椅调节等12V车载系统，具备高可靠性与抗扰能力。 该器件支持逻辑电平驱动（Vgs(th)低至1.0–2.1V），可直接由MCU/GPIO（3.3V/5V）驱动，简化外围电路；LFPAK56封装提供优异散热性与PCB空间利用率，适合高密度布局。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN3R4-30BLE,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4682pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 81nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.4 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-10257-6 |
| 功率-最大值 | 178W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tmb） |
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