Datasheet下载- 型号： IRFR120ZTR
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR120ZTR由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR120ZTR价格参考。International RectifierIRFR120ZTR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR120ZTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR120ZTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRFR120ZTR的MOSFET，属于N沟道功率MOSFET器件。该器件广泛应用于需要高效、快速开关特性的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、同步整流器等，用于提高能效和减小电源模块体积，常见于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源系统。 2. 负载开关与电源分配：在电池管理系统（BMS）、热插拔电路及智能电源分配中作为高效开关使用，实现对负载的精确控制和保护。 3. 电机控制：用于无刷直流电机（BLDC）驱动、电动工具及工业自动化设备中，支持PWM调速和高效能量利用。 4. 照明系统：如LED驱动电路，尤其在高亮度LED照明或汽车照明中，提供稳定电流控制和高可靠性。 5. 消费电子产品：包括智能手机充电器、移动电源、智能家居设备中的功率控制部分。 6. 汽车电子：用于车载电源系统、车身控制模块（如车窗、座椅调节）及辅助加热/冷却系统中的功率开关。 该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压、封装小巧等特点，适合高频开关应用，有助于提升系统效率并减少散热需求。常采用TSOP或PowerPAK等小型封装，便于PCB布局和散热设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFR120ZTR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 310pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 190 毫欧 @ 5.2A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 35W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.7A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfru120z.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfru120z.spi |
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