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MMBF0201NLT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBF0201NLT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBF0201NLT1G价格参考。ON SemiconductorMMBF0201NLT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 300mA(Ta) 225mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)。您可以下载MMBF0201NLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBF0201NLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBF0201NLT1G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET。其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 开关电源 (SMPS):该器件适用于开关电源中的高频开关应用,能够实现高效的电压转换和调节。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗,提高系统效率。 2. 电机驱动:在小型直流电机控制中,MMBF0201NLT1G 可作为电子开关使用,用于控制电机的启动、停止及速度调节。它适合应用于家用电器、玩具或小型机械设备中的电机驱动电路。 3. 负载切换:在便携式设备或嵌入式系统中,该 MOSFET 可用于负载切换,以实现对不同电路模块的供电管理,确保系统的稳定运行并降低功耗。 4. 信号放大与缓冲:在某些低功率信号处理电路中,这款 MOSFET 可用作信号放大器或缓冲器,提供更高的驱动能力。 5. 保护电路:可用于过流保护、短路保护等安全电路设计中,通过快速响应异常电流状况来保护后续电路免受损害。 6. 音频设备:在一些低功率音频放大器中,MMBF0201NLT1G 可用作输出级驱动元件,为扬声器提供足够的驱动电流。 7. 汽车电子:尽管其耐压范围有限,但在某些非关键性车载辅助电路中仍可发挥作用,如指示灯控制、传感器接口等。 总结来说,MMBF0201NLT1G 凭借其小尺寸、高效率及可靠性,在消费类电子产品、工业控制以及汽车电子等领域均有广泛的应用潜力。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23MOSFET 20V 300mA N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 300 mA |
| Id-连续漏极电流 | 300 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor MMBF0201NLT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBF0201NLT1G |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.225 W |
| Pd-功率耗散 | 225 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 62 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 62 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 2.5 ns |
| 下降时间 | 2.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 45pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1 欧姆 @ 300mA,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFETs- Power and Small Signal |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMBF0201NLT1GOS |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 功率耗散 | 0.225 W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 0.45 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 62 V |
| 漏极连续电流 | 300 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 300mA (Ta) |
| 系列 | MMBF0201NL |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |