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产品简介:
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Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为 IRFR2407TRRPBF 的晶体管属于场效应晶体管(FET)中的MOSFET,为单管配置。该器件是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛用于需要高效能、高频率切换和低导通电阻的应用场合。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等,因其低导通电阻(Rds(on))可减少功率损耗,提高能效。 2. 电机控制:在电动工具、电动车或工业自动化中用于控制电机的启停与转速,具备良好的热稳定性和耐压能力。 3. 负载开关:用于智能电源分配系统,如服务器、通信设备中的高边或低边开关。 4. 电池管理系统(BMS):适用于电池充放电保护电路,实现高效、安全的能量管理。 5. 照明系统:如LED驱动器中用于调光与恒流控制,支持高频切换以提高响应速度。 6. 汽车电子:符合AEC-Q101标准,适用于车载电源、电机驱动等场景。 该MOSFET采用Trench沟槽技术,具备优良的导通与开关性能,封装形式为TO-252(DPAK),便于散热与安装,适合中高功率应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 75V 42A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRFR2407TRRPBF |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 26 毫欧 @ 25A,10V |
供应商器件封装 | D-Pak |
功率-最大值 | 110W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 75V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 42A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfru2407.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfru2407.spi |