Datasheet下载- 型号： TPN22006NH,LQ
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TPN22006NH,LQ由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPN22006NH,LQ价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPN22006NH,LQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TPN22006NH,LQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TPN22006NH,LQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TPN22006NH,LQ 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌晶体管属于 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管） 类别，主要用于 单管应用。 该器件是一款 N沟道增强型MOSFET，具有良好的导通电阻和开关性能，适用于需要高效能与高可靠性的电路设计。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、稳压器等电源模块中，实现高效的电能转换。 2. 电机控制：在小型电机驱动电路中作为开关元件，控制电机启停与转速。 3. 负载开关：用于控制高电流负载的通断，如LED照明、加热元件等。 4. 电池供电设备：广泛应用于笔记本电脑、平板、工业手持设备等便携式电子产品中。 5. 工业自动化：作为开关元件用于PLC、传感器和执行器控制电路中。 该MOSFET具有良好的热稳定性和耐用性，适合中低功率应用场景，是一款通用型功率开关器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 710 pF |
| 描述 | MOSFET N CH 60V 9A 8-TSONMOSFET N-Ch 60V 21A 18W UMOSVIII 710pF 12nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 21 A |
| Id-连续漏极电流 | 21 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPN22006NH |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TPN22006NH,LQ- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPN22006NH |
| 产品型号 | TPN22006NH,LQTPN22006NH,LQ |
| Pd-PowerDissipation | 18 W |
| Pd-功率耗散 | 18 W |
| Qg-GateCharge | 12 nC |
| Qg-栅极电荷 | 12 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 18 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 18 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 上升时间 | 4.6 ns |
| 下降时间 | 3.3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 710pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-TSON高级 |
| 其它名称 | TPN22006NHLQDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns |
| 功率-最大值 | 18W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | TSON-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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