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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS6910由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS6910价格参考。Fairchild SemiconductorFDS6910封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 7.5A 900mW 表面贴装 8-SO。您可以下载FDS6910参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDS6910 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS6910是安森美(ON Semiconductor)推出的一款双N沟道MOSFET阵列,采用SO-8封装,具有低导通电阻和高开关效率的特点。该器件广泛应用于需要高效能、小尺寸功率管理的场景。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流电路,提升转换效率,降低功耗,常见于笔记本电脑、平板电脑及嵌入式系统的电源模块中。 2. 负载开关与电源开关控制:用于控制电池供电设备中的电源通断,如智能手机、便携式设备中的电源路径管理,实现低静态电流和快速响应。 3. 电机驱动:在小型直流电机或步进电机驱动电路中作为开关元件,适用于打印机、扫描仪、家电控制模块等消费类电子产品。 4. 热插拔与过流保护电路:配合控制器实现电路的软启动和电流限制,保护系统免受浪涌电流冲击。 5. LED背光驱动:在LCD显示屏背光控制中用于调节电流通断,实现高效节能的亮度控制。 FDS6910因其集成度高、体积小、热性能优良,特别适合空间受限且对能效要求较高的便携式电子设备。其稳定的性能和可靠的封装也使其在工业控制和通信设备中得到广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 30V 7.5A 8SOICMOSFET Dual N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS6910PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDS6910 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.6 W |
| Pd-功率耗散 | 1.6 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 10.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1130pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 13 毫欧 @ 7.5A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | FDS6910DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 36 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.5A |
| 系列 | FDS6910 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 零件号别名 | FDS6910_NL |