Datasheet下载- 型号： RFD16N05
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RFD16N05由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RFD16N05价格参考。Fairchild SemiconductorRFD16N05封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RFD16N05参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RFD16N05 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RFD16N05 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，主要用于中高功率开关应用。其典型应用场景包括： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器等，因其导通电阻低、开关速度快，有助于提高电源转换效率。 2. 电机控制：可用于直流电机驱动电路，作为功率开关控制电机的启停与转速。 3. 照明系统：在LED照明或高强度放电灯（HID）镇流器中作为高频开关元件。 4. 工业自动化：用于工业控制设备中的继电器替代、负载开关或逆变器模块。 5. 消费类电子产品：如电视电源、音响功放、电磁炉等需要高效功率开关的设备中。 该器件具有较高的耐用性和热稳定性，适合在中等功率范围内高效运行，是广泛应用于各类电子设备中的通用型功率MOSFET。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 50V 16A I-PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RFD16N05 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 47 毫欧 @ 16A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 72W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A （Tc） |
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