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  • 型号: SUP53P06-20-E3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SUP53P06-20-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUP53P06-20-E3价格参考。VishaySUP53P06-20-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 60V 9.2A(Ta),53A(Tc) 3.1W(Ta),104.2W(Tc) TO-220AB。您可以下载SUP53P06-20-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SUP53P06-20-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 60V 9.2A TO220ABMOSFET 60V 53A 104.2W 19.5mohm @ 10V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

9.2 A

Id-连续漏极电流

9.2 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUP53P06-20-E3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SUP53P06-20-E3SUP53P06-20-E3

Pd-PowerDissipation

3.1 W

Pd-功率耗散

3.1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

19.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

19.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 60 V

Vds-漏源极击穿电压

- 60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

7 ns

下降时间

40 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3500pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

115nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

19.5 毫欧 @ 30A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

SUP53P0620E3

典型关闭延迟时间

70 ns

功率-最大值

3.1W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

500

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9.2A (Ta), 53A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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