Datasheet下载- 型号： SIE882DF-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIE882DF-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIE882DF-T1-GE3价格参考。VishaySIE882DF-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIE882DF-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIE882DF-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIE882DF-T1-GE3 是一款P沟道增强型MOSFET，采用先进的TrenchFET®技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高效率特点。该器件常用于便携式电子设备和空间受限的应用中。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：适用于电池供电设备中的负载开关或电源通断控制，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，有助于降低功耗并延长电池寿命。 2. 电压反转与电平转换：在数字逻辑电路中用于高低电平转换，兼容不同电压域的信号接口，常见于微控制器系统和通信模块。 3. 热插拔与过流保护：可用于电源热插拔电路中，防止启动时的电流冲击，保护后级电路。 4. DC-DC转换器：作为同步整流或高端开关使用，提升转换效率，广泛应用于笔记本电脑、路由器等设备的电源模块。 其小型化封装（如PowerPAK SO-8）适合高密度PCB布局，同时具备良好的热性能和可靠性。SIE882DF-T1-GE3因其高性能和稳定性，广泛服务于消费电子、工业控制及便携式医疗设备等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 60A POLARPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SIE882DF-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6400pF @ 12.5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 145nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | 10-PolarPAK®（L） |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 10-PolarPAK®（L） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
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