Datasheet下载- 型号： SIHF12N60E-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHF12N60E-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHF12N60E-E3价格参考。VishaySIHF12N60E-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIHF12N60E-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHF12N60E-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIHF12N60E-E3是一款N沟道MOSFET，属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别的器件。其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源（SMPS）：该MOSFET适用于各种开关电源设计，如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。其600V的击穿电压使其能够承受较高的输入电压，适合工业和消费电子中的电源管理应用。 2. 电机驱动：SIHF12N60E-E3可用于低功率至中等功率的电机驱动电路中，作为开关元件控制电机的启动、停止和速度调节。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少能量损耗，提高效率。 3. 逆变器：在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中，这款MOSFET可以用于高频开关操作，将直流电转换为交流电，满足可再生能源系统的需求。 4. 负载切换：该器件适用于需要快速、高效切换负载的应用场合，例如电池管理系统（BMS）中的负载切换，确保电路在不同工作模式下的稳定运行。 5. PFC电路（功率因数校正）：在功率因数校正电路中，SIHF12N60E-E3可以作为主开关器件，帮助提升系统的功率因数，降低谐波失真。 6. 保护电路：该MOSFET也可用于过流保护、短路保护等电路中，提供快速响应和可靠的保护功能，防止下游电路受损。 7. 汽车电子：由于其高耐压特性和可靠性，SIHF12N60E-E3适用于汽车电子中的各种应用，如车载充电器、LED驱动、电动座椅控制等。 总之，SIHF12N60E-E3凭借其高击穿电压、低导通电阻和良好的开关性能，广泛应用于工业控制、消费电子、通信设备以及汽车电子等领域，特别是在需要高效能和高可靠性的高压开关场景中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLPMOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIHF12N60E-E3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIHF12N60E-E3SIHF12N60E-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 147 W |
| Pd-功率耗散 | 147 W |
| Qg-GateCharge | 29 nC |
| Qg-栅极电荷 | 29 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 380 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 380 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 19 ns |
| 下降时间 | 19 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 937pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 58nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 380 毫欧 @ 6A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30391 |
| 产品种类 | N-Channel MOSFETs |
| 供应商器件封装 | TO-220 整包 |
| 其它名称 | SIHF12N60EE3 |
| 功率-最大值 | 33W |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 正向跨导-最小值 | 3.8 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
| 系列 | SIHxxxN60x |
| 配置 | Single |
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