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产品简介:
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Vishay Siliconix 的 SI7392ADP-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻(Rds(on))、高效率和良好的热稳定性。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子设备中的电池供电系统,作为高效能的功率开关使用。 2. DC-DC 转换器:在同步整流电路中用作高边或低边开关,提高转换效率并减少发热。 3. 负载开关:用于控制对特定负载的供电,如风扇、LED 照明或外设模块,实现快速开关和过流保护功能。 4. 电机驱动与继电器替代:适用于小型电机控制或固态继电器设计,提供无火花开关操作,提升系统可靠性。 5. 工业控制系统:在自动化设备、传感器模块及嵌入式系统中作为功率控制元件。 该 MOSFET 采用 8 引脚 PowerPAK 封装,具备优良的散热性能,适合在空间受限但要求高可靠性的应用中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | SI7392ADP-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1465pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.5 毫欧 @ 12.5A,10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 功率-最大值 | 27.5W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 30A (Tc) |