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产品简介:
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STMicroelectronics(意法半导体)的STP80N10F7是一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该器件具有100V耐压、80A大电流能力及低导通电阻(典型值约6.5mΩ),采用TO-220或D²PAK等封装形式,具备良好的热稳定性和高效率开关性能。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:广泛用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC适配器中,作为主开关管以实现高效电能转换。 2. 电机驱动:适用于工业电机控制、电动车窗、风扇和泵类驱动电路,因其高电流承载能力和快速响应特性,可提升系统动态性能。 3. 汽车电子:在车载系统如发动机控制单元(ECU)、照明控制、电池管理系统中用于负载开关和功率控制,符合AEC-Q101车规标准,可靠性高。 4. 消费电子与工业设备:用于充电器、逆变器、UPS不间断电源等设备中,提供高效、低损耗的功率开关功能。 5. 能量保护与分配系统:在过流保护电路、热插拔控制器和电源分配模块中作为功率开关元件。 STP80N10F7凭借其高效率、低发热和强鲁棒性,特别适合对能效和可靠性要求较高的中高功率应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | STP80N10F7 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3100pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10 毫欧 @ 40A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-14834-5 |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 80A (Tc) |