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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQAF33N10由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQAF33N10价格参考。Fairchild SemiconductorFQAF33N10封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQAF33N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQAF33N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
安森美半导体(ON Semiconductor)的FQAF33N10是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率转换和控制的场合。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器等,实现高效的能量转换。 2. 电机驱动:适用于直流电机、步进电机等驱动电路,提供快速开关和低导通损耗。 3. 负载开关:作为高边或低边开关控制负载,如LED照明、加热元件等。 4. 逆变器与变频器:在UPS、太阳能逆变器、变频空调等设备中用于功率调节。 5. 汽车电子:用于车载电源系统、电机控制、电池管理系统(BMS)等,满足汽车工业对可靠性的要求。 该器件具有低导通电阻、高耐压(100V)和大电流能力(33A),适合中高功率应用。其封装形式(如D2PAK)便于散热和安装,适用于工业和车载环境。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 25.8A TO-3PF |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQAF33N10 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1500pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 51nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 52 毫欧 @ 12.9A,10V |
供应商器件封装 | TO-3PF |
功率-最大值 | 83W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | SC-94 |
标准包装 | 360 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 25.8A (Tc) |