Datasheet下载- 型号： NTB30N06T4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTB30N06T4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB30N06T4G价格参考。ON SemiconductorNTB30N06T4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTB30N06T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTB30N06T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTB30N06T4G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，主要应用于电源管理和功率转换领域。其典型应用场景包括： 1. 电源适配器与充电器：适用于笔记本电脑、手机等电子设备的AC-DC电源适配器，具备高效率和低导通损耗的特点，有助于提升整体能效。 2. DC-DC转换器：广泛用于各类电子设备中的电压调节模块，如服务器、通信设备和工业控制系统中的降压（Buck）或升压（Boost）电路。 3. 负载开关与电源开关：用于控制电源的通断，具有低导通电阻（Rds(on)），可减少功率损耗，提高系统效率。 4. 马达控制与驱动电路：适用于小型电机、风扇、继电器等负载的开关控制，支持高频开关操作，响应速度快。 5. 电池管理系统（BMS）：在电池充放电管理电路中作为开关元件，具备良好的热稳定性和可靠性。 6. LED照明驱动：用于LED电源驱动电路中，支持高效率恒流控制。 该MOSFET采用TO-220封装，散热性能良好，适合中高功率应用场景。其60V耐压和30A电流能力，使其在多种通用功率开关应用中具备较高的可靠性和性价比。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTB30N06T4G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 46nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 42 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 88.2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 27A （Ta） |
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