Datasheet下载- 型号： SI3456CDV-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3456CDV-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3456CDV-T1-GE3价格参考。VishaySI3456CDV-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3456CDV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3456CDV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3456CDV-T1-GE3 是一款N沟道MOSFET，属于单MOSFET器件，广泛应用于各类电子设备中。其主要应用场景包括便携式电子产品、电源管理电路和负载开关等。由于该器件采用小型化封装（如SOT-23），具有低导通电阻（RDS(on)）和低阈值电压，适合在空间受限且对功耗敏感的设计中使用。 常见应用领域包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的电源开关和电池管理模块；在DC-DC转换器中用于同步整流，提高转换效率；也可作为LED驱动电路中的开关元件，实现高效控制。此外，SI3456CDV-T1-GE3还适用于热插拔电路和过流保护设计，因其响应速度快、可靠性高，能有效防止电流冲击。 该MOSFET工作电压适中，适合3.3V或5V逻辑电平直接驱动，无需额外的驱动电路，简化了系统设计。在工业控制、消费电子和通信设备中均有广泛应用。其符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造。总体而言，SI3456CDV-T1-GE3是一款高性能、小尺寸的MOSFET，特别适合高密度、低功耗的电源开关与控制场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI3456CDV-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 460pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 34 毫欧 @ 6.1A，10V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 功率-最大值 | 3.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.7A （Tc） |
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