Datasheet下载- 型号： DMN2501UFB4-7
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2501UFB4-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2501UFB4-7价格参考￥0.47-￥3.03。Diodes Inc.DMN2501UFB4-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN2501UFB4-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN2501UFB4-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN2501UFB4-7是一款单N沟道增强型MOSFET，采用先进的Trench MOSFET技术，具有低导通电阻、高效率和优异的热性能。该器件广泛应用于需要高效能和小尺寸封装的电子系统中。 该MOSFET适用于多个领域，主要包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等，用于提高电源转换效率和降低功耗。 2. 电池供电设备：包括笔记本电脑、平板电脑、智能手机及其他便携式电子产品，用于电池保护和电源切换。 3. 电机控制：在小型电机驱动电路中作为开关元件，实现高效控制。 4. 负载开关与热插拔应用：用于服务器、通信设备和工业控制系统中，实现对负载的高效控制与隔离。 5. 汽车电子：如车载充电系统、LED照明驱动、车身控制模块等，满足汽车应用中对可靠性和效率的要求。 6. 消费类电子产品：如电源适配器、智能家电、LED照明等，提供高效、稳定的功率控制。 DMN2501UFB4-7采用SOT26封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，是中低功率应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DMN2501UFB4-7 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 82pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 400 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006（1.0x0.6） |
| 其它名称 | DMN2501UFB4-7DI |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1A （Ta） |
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