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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HUFA75329D3由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUFA75329D3价格参考。Fairchild SemiconductorHUFA75329D3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HUFA75329D3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HUFA75329D3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的HUFA75329D3是一款N沟道增强型功率MOSFET,属于单MOSFET器件,广泛应用于需要高效开关和功率控制的场景。该器件具有低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力,适合在高效率电源转换系统中使用。 典型应用场景包括:开关电源(SMPS),如AC-DC和DC-DC转换器,用于通信设备、工业电源和消费类电子产品;电机驱动电路,适用于小型电机或步进电机的控制,常见于家电和自动化设备;LED照明驱动电源,因其良好的开关特性和低损耗,有助于提高能效;还可用于电池管理系统(BMS)和逆变器中的功率开关,支持能量高效传输。 此外,HUFA75329D3具备优良的热稳定性和可靠性,适合在较宽温度范围内工作的工业级应用。其封装形式有利于散热和紧凑设计,适用于空间受限但对性能要求较高的电子设备。总体而言,该MOSFET适用于中高功率、高效率、高可靠性的电力电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 20A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUFA75329D3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1060pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 26 毫欧 @ 20A,10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 128W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A (Tc) |