Datasheet下载- 型号： NTD3055-150T4G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD3055-150T4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD3055-150T4G价格参考。ON SemiconductorNTD3055-150T4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD3055-150T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD3055-150T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD3055-150T4G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该型号的 MOSFET 具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) - NTD3055-150T4G 可用于开关电源中的功率开关，例如降压、升压或反激式转换器。 - 其低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性有助于提高效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动 - 在直流电机或无刷直流电机 (BLDC) 的驱动电路中，该 MOSFET 可用作功率开关，控制电机的启动、停止和调速。 - 它能够承受较高的电流负载，并提供稳定的性能。 3. 负载开关 - 在需要动态控制负载通断的应用中，如消费电子产品或工业设备，NTD3055-150T4G 可作为高效的负载开关。 - 其低导通电阻可降低功耗，同时支持快速响应。 4. 电池管理 - 用于电池保护电路，例如过流保护、短路保护或电池充放电控制。 - 其低导通电阻有助于减少电池系统的发热，延长电池寿命。 5. LED 驱动 - 在大功率 LED 照明应用中，该 MOSFET 可用于恒流源电路，调节 LED 的亮度并确保稳定的工作状态。 - 适合高亮度 LED 灯具或汽车照明系统。 6. 汽车电子 - NTD3055-150T4G 能够承受较大的电压和电流波动，适用于汽车电子中的各种应用，如电动窗、座椅调节、雨刷控制系统等。 - 其坚固的设计使其在严苛环境下仍能可靠运行。 7. 逆变器 - 在小型逆变器中，该 MOSFET 可用作功率级开关，将直流电转换为交流电。 - 适用于太阳能逆变器或其他便携式逆变器设备。 总结 NTD3055-150T4G 的主要优势在于其低导通电阻（典型值为 4.5 mΩ）、高电流处理能力（最大漏极电流可达 150 A）以及出色的热性能。这些特点使其成为高效功率转换和控制的理想选择，广泛应用于消费电子、工业设备、汽车电子和绿色能源等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 9A DPAKMOSFET 60V 9A N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9 A |
| Id-连续漏极电流 | 9 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD3055-150T4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTD3055-150T4G |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 28.8 W |
| Pd-功率耗散 | 28.8 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 122 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 122 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 37.1 ns |
| 下降时间 | 23 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 280pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 150 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | NTD3055-150T4GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 12.2 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 功率耗散 | 28.8 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 122 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 5.4 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 9 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta） |
| 系列 | NTD3055-150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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