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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STB18N55M5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB18N55M5价格参考。STMicroelectronicsSTB18N55M5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STB18N55M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STB18N55M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STB18N55M5 是由 STMicroelectronics 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其应用场景主要包括以下几个方面: 1. 开关电源(SMPS) STB18N55M5 适用于各种开关电源设计,包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。其低导通电阻(Rds(on) = 0.018 Ω @ Vgs = 10V)和高电流处理能力(最大 drain 电流 Id = 67 A),使其非常适合高效能的电源管理应用。 2. 电机驱动 该器件可用于驱动中小型直流电机或步进电机。其高电流承载能力和快速开关速度能够满足电机控制的需求,同时支持 PWM 调速功能。 3. 负载切换与保护电路 在汽车电子、工业设备及消费类电子产品中,STB18N55M5 可用于负载切换和过流保护电路。例如,在汽车电子系统中,它可以作为高侧或低侧开关来控制大功率负载的通断。 4. 太阳能逆变器 在小型太阳能发电系统中,这款 MOSFET 可用作逆变器中的开关元件,帮助实现高效的能量转换和传输。 5. 电池管理系统(BMS) STB18N55M5 的低导通电阻特性使其成为电池充放电管理的理想选择,能够减少功耗并提高效率。它可应用于电动车、储能系统或其他需要精密电池管理的场合。 6. 音频功率放大器 在 Class D 音频放大器中,该 MOSFET 可作为输出级开关,提供高保真音质的同时降低热损耗。 7. 工业自动化 在 PLC(可编程逻辑控制器)、继电器驱动和其他工业自动化设备中,STB18N55M5 能够承受较高的电压(Vds = 55V)和电流,确保稳定运行。 总结来说,STB18N55M5 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于需要高效功率转换、快速开关响应以及高电流处理能力的各种场景中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 550V 13A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STB18N55M5 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | MDmesh™ V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1260pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 192 毫欧 @ 8A, 10V |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | 497-11227-1 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF251683?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 110W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 550V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 16A (Tc) |