Datasheet下载- 型号： FQI4N25TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI4N25TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI4N25TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI4N25TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI4N25TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI4N25TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI4N25TU 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，主要应用于中功率开关场合。该器件具有良好的导通特性和快速开关性能，适合用于需要高效能和高可靠性的电路设计。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、电源适配器、电池充电器等，用于高效能电能转换与调节。 2. 马达控制：在小型电机驱动电路中作为开关元件，实现对电机转速或方向的控制。 3. 照明系统：用于LED驱动电源或电子镇流器中，作为高频开关元件提升能效。 4. 消费电子产品：如电视、音响设备、家用电器中的电源开关和负载控制。 5. 工业自动化：在PLC、继电器驱动、传感器供电等工业控制电路中作为功率开关使用。 该MOSFET采用TO-252封装，具备较好的散热性能，适合表面贴装工艺，适用于中等功率水平的设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 3.6A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI4N25TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.75 欧姆 @ 1.8A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.6A （Tc） |
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