ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF7811AVPBF
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Datasheet下载- 型号： IRF7811AVPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7811AVPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7811AVPBF价格参考。International RectifierIRF7811AVPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 10.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO。您可以下载IRF7811AVPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7811AVPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF7811AVPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），主要应用于需要高效、低功耗开关操作的电路中。以下是该型号MOSFET的一些典型应用场景： 1. 电源管理 IRF7811AVPBF常用于开关电源（SMPS）和DC-DC转换器中，作为主开关元件。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少传导损耗，提高电源转换效率。此外，它还可以用于电池管理系统（BMS）中的负载开关，控制电池与负载之间的连接。 2. 电机驱动 在小型直流电机或步进电机驱动电路中，IRF7811AVPBF可以用作功率放大级，通过PWM（脉宽调制）信号控制电机的转速和方向。其快速开关特性和低导通电阻使其适合于高效电机控制应用。 3. 照明系统 该MOSFET可用于LED驱动电路中，特别是在需要高亮度调节的应用中。通过PWM调光或恒流控制，IRF7811AVPBF可以确保LED在不同工作条件下保持稳定的亮度输出，同时降低能耗。 4. 消费电子 在智能手机、平板电脑等便携式设备中，IRF7811AVPBF可用于充电电路、音频放大器以及其他需要高效开关操作的模块。它的紧凑封装（VPAK）使得它非常适合空间有限的消费电子产品设计。 5. 工业自动化 在工业控制系统中，IRF7811AVPBF可以用于继电器替代、传感器接口以及各种执行器的驱动。其坚固耐用的性能和低功耗特性使其能够在恶劣的工业环境中稳定工作。 6. 汽车电子 在汽车电子领域，IRF7811AVPBF可用于车身控制模块（BCM）、电动助力转向（EPS）、空调系统等。其符合AEC-Q101标准，确保了在汽车应用中的可靠性和稳定性。 总之，IRF7811AVPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各类需要高效开关操作的电路中，尤其是在对功耗和空间有严格要求的应用场景下表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOICMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 17nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 14 A |
| Id-连续漏极电流 | 14 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7811AVPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7811AVPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.5 W |
| Pd-功率耗散 | 3.5 W |
| Qg-GateCharge | 17 nC |
| Qg-栅极电荷 | 17 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 14 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 21 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1801pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 毫欧 @ 15A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 43 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 3.5 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 14 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 17 nC |
| 标准包装 | 95 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 14 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10.8A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7811av.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7811av.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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