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产品简介:
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Rohm Semiconductor(罗姆半导体)的型号 RSH070N05TB1 是一款N沟道功率MOSFET,主要用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。其典型应用场景包括: 1. DC-DC转换器:适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的电压调节模块(VRM),提供高效的直流电压转换。 2. 同步整流电路:在开关电源(SMPS)中作为同步整流器使用,以提高电源效率并减少发热。 3. 负载开关与电源管理:用于电池供电设备(如智能手机、平板电脑)中的负载开关控制,实现低功耗管理和快速开关操作。 4. 电机驱动与功率控制:适用于小型电机、风扇或继电器的驱动电路,特别是在工业自动化和消费类电子产品中。 5. 汽车电子系统:由于其高可靠性和封装设计具备良好的散热性能,也适合用于车载充电系统、车身控制模块等汽车应用场景。 该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压(50V)及优良的热稳定性,采用紧凑型PowerSSO8封装,适合高密度PCB布局。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 45V 7A SOP8MOSFET Nch 45V 7A MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,4V 驱动 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 7 A |
Id-连续漏极电流 | 7 A |
品牌 | Rohm Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RSH070N05TB1- |
数据手册 | |
产品型号 | RSH070N05TB1 |
Pd-PowerDissipation | 2 W |
Pd-功率耗散 | 2 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 25 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 25 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 45 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 45 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16.8nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 25 毫欧 @ 7A,10V |
产品目录绘图 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SOP |
其它名称 | RSH070N05TB1CT |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOP-8 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 6 S |
漏源极电压(Vdss) | 45V |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7A (Ta) |