Datasheet下载- 型号： SPB35N10
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SPB35N10由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SPB35N10价格参考。InfineonSPB35N10封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SPB35N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SPB35N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的SPB35N10是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于中高功率开关场景。其额定电压为100V，连续漏极电流可达35A，具有低导通电阻和优良的开关性能，适合高效能、高密度电源设计。 典型应用场景包括： 1. 电源转换系统：如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器，用于通信设备、工业电源等，实现高效电能转换。 2. 电机驱动：在电动工具、家用电器和工业控制中，作为直流电机或步进电机的驱动开关元件，提供快速响应和低功耗控制。 3. 逆变器与UPS：用于不间断电源（UPS）和太阳能逆变器中，承担能量转换与输出调节功能，提升系统效率。 4. 汽车电子：适用于车载电源管理、辅助电机控制等非主驱系统，满足车规级可靠性要求。 5. 照明电源：用于LED驱动电源，支持恒流输出和调光功能，提高照明系统稳定性。 SPB35N10采用TO-263（D²PAK）封装，具备良好的散热性能，适合表面贴装，便于自动化生产。其优化的栅极设计降低了开关损耗，提升了整体系统能效。综合来看，该器件适用于对效率、可靠性和空间布局有较高要求的中大功率电子设备中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/SPB35N10.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42c4f8e46d3&fileId=db3a304412b407950112b42c4ffe46d4 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SPB35N10 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SIPMOS® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 83µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1570pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 44 毫欧 @ 26.4A，10V |
| 供应商器件封装 | P-TO263-3 |
| 其它名称 | SPB35N10INTR |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Tc） |
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