Datasheet下载- 型号： SIHU6N62E-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHU6N62E-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHU6N62E-GE3价格参考。VishaySIHU6N62E-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIHU6N62E-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHU6N62E-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIHU6N62E-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，具有高耐压、低导通电阻和高功率处理能力。该器件广泛应用于需要高效功率管理与开关控制的各类电子系统中。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等，用于高效能转换和稳定输出。 2. 电机驱动：适用于无刷直流电机、步进电机等驱动电路，提供快速开关响应和良好的热稳定性。 3. 负载开关：在工业控制、服务器电源、电池管理系统中作为高边或低边开关使用。 4. 逆变器与变频器：用于光伏逆变器、UPS（不间断电源）和变频家电中，实现电能形式的高效转换。 5. 汽车电子：如车载充电系统、电动助力转向（EPS）、车载逆变器等，满足汽车环境中对可靠性和耐温性的要求。 6. 消费电子：如高端笔记本电脑、电源管理模块等对空间和效率有较高要求的产品中。 该 MOSFET 具有较高的耐用性和热稳定性，适合高频开关操作，是多种功率电子系统中理想的开关元件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 620V 6A TO-251 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SIHU6N62E-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 578pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 900 毫欧 @ 3A，10V |
| 供应商器件封装 | IPAK （TO-251） |
| 功率-最大值 | 78W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 620V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Tc） |
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