Datasheet下载- 型号： CSD25481F4T
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD25481F4T由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD25481F4T价格参考。Texas InstrumentsCSD25481F4T封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CSD25481F4T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD25481F4T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD25481F4T 是 Texas Instruments（德州仪器）推出的一款单N沟道增强型MOSFET，主要面向高性能、低电压应用。该器件采用1.5mm x 1mm的小型封装（WCSP），具备低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于对空间与效率要求较高的设计。 其典型应用场景包括： 1. 电池管理系统：用于电动工具、笔记本电脑、无人机等便携设备中的电池充放电控制，具有高效率和低功耗特性。 2. 负载开关与电源管理：作为高效负载开关，用于服务器、通信设备及工业控制系统中，实现对各子系统的电源隔离与保护。 3. DC-DC转换器：在同步整流降压或升压电路中用作功率开关，提升转换效率，适合于多相VRM设计和POL（点负载）电源模块。 4. 电机驱动与马达控制：适用于小型电机或风扇控制，支持快速开关操作，降低开关损耗。 5. 热插拔电路：用于服务器或网络设备中，防止插入带电背板时产生浪涌电流。 综上，CSD25481F4T 凭借其小尺寸、低导通电阻与高可靠性，广泛应用于需要高效能与紧凑布局的电源管理与功率控制领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CSD25481F4T |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | FemtoFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 189pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.91nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 88 毫欧 @ 500mA， 8V |
| 供应商器件封装 | 3-PICOSTAR |
| 其它名称 | 296-37750-6 |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD25481F4T |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A（Ta） |
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