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IRFH5250TRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH5250TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH5250TRPBF价格参考¥3.93-¥4.24。International RectifierIRFH5250TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 25V 45A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),160W(Tc) 8-PQFN(5x6)。您可以下载IRFH5250TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFH5250TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFH5250TRPBF 是由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款晶体管,属于 FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)中的单通道类型。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 电源管理 - IRFH5250TRPBF 常用于高效能的 DC-DC 转换器中,作为开关元件实现电压转换。 - 在电池管理系统(BMS)中,用于控制电池充放电过程中的电流流动。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,提供高效的开关性能。 - 在电动工具、家用电器(如吸尘器、风扇等)中,用作功率开关以控制电机速度和方向。 3. 消费电子设备 - 在笔记本电脑、平板电脑和其他便携式电子设备的电源适配器中,作为同步整流器提高效率。 - 用于 USB 充电器和快充适配器,支持高效率的能量传输。 4. 通信设备 - 在基站、路由器和其他通信设备的电源模块中,用作开关器件以确保稳定的供电。 - 提供低导通电阻特性,减少功率损耗并提升系统效率。 5. 汽车电子 - 在车载电子系统中,例如电动车窗、雨刷器、座椅调节等应用中,作为功率开关。 - 支持汽车级可靠性要求,适合恶劣环境下的长期运行。 6. 工业自动化 - 在工业控制系统中,用于继电器替代、固态继电器或负载切换。 - 在 LED 照明驱动电路中,提供精确的电流控制和高效率。 特性优势: - 低导通电阻:IRFH5250TRPBF 的 Rds(on) 较低,有助于降低功耗并提升整体效率。 - 高开关频率:支持高频工作,适合现代高频开关电源设计。 - 良好的热性能:具备优秀的散热能力,适合高功率密度的应用场景。 综上所述,IRFH5250TRPBF 广泛应用于需要高效功率转换和开关操作的各种领域,尤其是在对能效和可靠性有较高要求的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 45A 5X6 PQFNMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.15mOhms 52nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 45 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH5250TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFH5250TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.6 W |
| Pd-功率耗散 | 3.6 W |
| Qg-GateCharge | 52 nC |
| Qg-栅极电荷 | 52 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.75 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.15 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7174pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.15 毫欧 @ 50A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PQFN(5x6) |
| 其它名称 | IRFH5250TRPBFCT |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 功率耗散 | 3.6 W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 导通电阻 | 1.75 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVQFN |
| 封装/箱体 | PQFN-8 5x6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 52 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 25 V |
| 漏极连续电流 | 45 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 45A |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfh5250pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfh5250pbf.spi |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |