图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: IRFH5250TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IRFH5250TRPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH5250TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH5250TRPBF价格参考¥3.93-¥4.24。International RectifierIRFH5250TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 25V 45A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),160W(Tc) 8-PQFN(5x6)。您可以下载IRFH5250TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFH5250TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRFH5250TRPBF 是由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款晶体管,属于 FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)中的单通道类型。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面:

 1. 电源管理
   - IRFH5250TRPBF 常用于高效能的 DC-DC 转换器中,作为开关元件实现电压转换。
   - 在电池管理系统(BMS)中,用于控制电池充放电过程中的电流流动。

 2. 电机驱动
   - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,提供高效的开关性能。
   - 在电动工具、家用电器(如吸尘器、风扇等)中,用作功率开关以控制电机速度和方向。

 3. 消费电子设备
   - 在笔记本电脑、平板电脑和其他便携式电子设备的电源适配器中,作为同步整流器提高效率。
   - 用于 USB 充电器和快充适配器,支持高效率的能量传输。

 4. 通信设备
   - 在基站、路由器和其他通信设备的电源模块中,用作开关器件以确保稳定的供电。
   - 提供低导通电阻特性,减少功率损耗并提升系统效率。

 5. 汽车电子
   - 在车载电子系统中,例如电动车窗、雨刷器、座椅调节等应用中,作为功率开关。
   - 支持汽车级可靠性要求,适合恶劣环境下的长期运行。

 6. 工业自动化
   - 在工业控制系统中,用于继电器替代、固态继电器或负载切换。
   - 在 LED 照明驱动电路中,提供精确的电流控制和高效率。

 特性优势:
- 低导通电阻:IRFH5250TRPBF 的 Rds(on) 较低,有助于降低功耗并提升整体效率。
- 高开关频率:支持高频工作,适合现代高频开关电源设计。
- 良好的热性能:具备优秀的散热能力,适合高功率密度的应用场景。

综上所述,IRFH5250TRPBF 广泛应用于需要高效功率转换和开关操作的各种领域,尤其是在对能效和可靠性有较高要求的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 25V 45A 5X6 PQFNMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.15mOhms 52nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

45 A

Id-连续漏极电流

100 A

品牌

International Rectifier

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH5250TRPBFHEXFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IRFH5250TRPBF

PCN组件/产地

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

3.6 W

Pd-功率耗散

3.6 W

Qg-GateCharge

52 nC

Qg-栅极电荷

52 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.75 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

1.15 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.35V @ 150µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

7174pF @ 13V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

110nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.15 毫欧 @ 50A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PQFN(5x6)

其它名称

IRFH5250TRPBFCT

功率-最大值

3.6W

功率耗散

3.6 W

包装

剪切带 (CT)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

导通电阻

1.75 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerVQFN

封装/箱体

PQFN-8 5x6

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

栅极电荷Qg

52 nC

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

25 V

漏极连续电流

45 A

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

45A

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfh5250pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfh5250pbf.spi

闸/源击穿电压

20 V

IRFH5250TRPBF 相关产品

IRFBF20STRRPBF

品牌:Vishay Siliconix

价格:

IRFR220NTRPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:¥1.84-¥2.00

IRFBF30PBF

品牌:Vishay Siliconix

价格:

SI7102DN-T1-E3

品牌:Vishay Siliconix

价格:

IRL2505S

品牌:Infineon Technologies

价格:

IXTT1N450HV

品牌:IXYS

价格:

AUIRF3205ZS

品牌:Infineon Technologies

价格:

FDD3680

品牌:ON Semiconductor

价格: