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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP7NK80Z由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP7NK80Z价格参考。STMicroelectronicsSTP7NK80Z封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STP7NK80Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP7NK80Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP7NK80Z 是由 STMicroelectronics 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单一类别。以下是该型号的主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) STP7NK80Z 的高电压耐受能力(800V 额定击穿电压)使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用,例如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器和功率因数校正(PFC)电路。 2. 电机驱动 由于其低导通电阻(Rds(on) 典型值为 3.6Ω)和快速开关特性,STP7NK80Z 可用于小型电机驱动电路,如家用电器中的风扇控制、水泵驱动或电动工具的电机控制。 3. 逆变器 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,该器件可以用作功率级开关,将直流电转换为交流电,适用于中小功率的逆变器系统。 4. 负载开关 STP7NK80Z 可用作高效负载开关,控制高电压设备的通断,例如 LED 照明系统、汽车电子设备或工业控制中的负载管理。 5. 保护电路 在过流保护、短路保护或过压保护电路中,该 MOSFET 可以充当快速响应的开关元件,确保系统在异常情况下迅速切断电流路径。 6. 家电与消费电子产品 该器件广泛应用于需要高压切换的家电产品中,例如微波炉、电磁炉、空调压缩机等,以及消费电子设备中的电源管理模块。 7. 汽车电子 在汽车环境中,STP7NK80Z 可用于启动系统、继电器替代、电池管理或车载充电器等场景,得益于其良好的热特性和可靠性。 总结来说,STP7NK80Z 凭借其高电压耐受性、低导通电阻和快速开关能力,适用于各种需要高效功率转换和控制的应用场合,尤其是在高压环境下的电源管理和电机驱动领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220MOSFET N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 5.2 A |
Id-连续漏极电流 | 5.2 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP7NK80ZSuperMESH™ |
数据手册 | |
产品型号 | STP7NK80Z |
Pd-PowerDissipation | 125 W |
Pd-功率耗散 | 125 W |
Qg-GateCharge | 40 nC |
Qg-栅极电荷 | 40 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.8 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.8 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 12 ns |
下降时间 | 20 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1138pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.8 欧姆 @ 2.6A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF64793?referrer=70071840 |
典型关闭延迟时间 | 45 ns |
功率-最大值 | 125W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.438 g |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 5 S |
漏源极电压(Vdss) | 800V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.2A (Tc) |
系列 | STP7NK80Z |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |