Datasheet下载- 型号： IXTT1N450HV
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTT1N450HV由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTT1N450HV价格参考。IXYSIXTT1N450HV封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTT1N450HV参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTT1N450HV 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS公司生产的IXTT1N450HV是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别的产品。以下是该型号的主要应用场景： 1. 工业电源 - 开关电源（SMPS）：IXTT1N450HV的高电压耐受能力（高达450V）使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。 - 逆变器：在工业逆变器中，该器件可以用于直流到交流的转换过程，提供高效的功率控制。 - 电机驱动：用于工业电机驱动电路，实现对电机速度和方向的精确控制。 2. 通信设备 - 电信电源：在通信基站或网络设备中，作为功率调节的关键元件，确保稳定的电压输出。 - 信号放大：在高频通信系统中，用于信号放大的功率级控制。 3. 汽车电子 - 车载充电器：在电动汽车或混合动力汽车的车载充电系统中，用于高效能量转换。 - 启动/停止系统：用于汽车发动机启动和停止系统的功率控制，提高燃油效率。 - LED照明：在汽车内部和外部LED照明系统中，提供稳定的电流驱动。 4. 消费电子产品 - 家电控制：如空调、冰箱等家用电器的压缩机驱动和功率管理。 - UPS不间断电源：用于家庭或办公室的备用电源系统，提供可靠的电力支持。 5. 新能源领域 - 太阳能逆变器：将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电，供家庭或电网使用。 - 风能发电：在小型风力发电机中，用于功率调节和能量管理。 6. 其他应用 - 脉冲宽度调制（PWM）控制器：用于各种需要精确功率控制的场合。 - 保护电路：作为过流保护或短路保护的关键元件，确保系统安全运行。 IXTT1N450HV凭借其高击穿电压、低导通电阻和快速开关特性，适用于多种需要高效功率转换和控制的应用场景。选择具体应用场景时，需根据实际需求考虑其工作电压、电流容量和散热设计等因素。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 4500V 1A TO268MOSFET 4500V 1A HV Power MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1 A |
| Id-连续漏极电流 | 1 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTT1N450HV- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTT1N450HV |
| Pd-PowerDissipation | 520 W |
| Pd-功率耗散 | 520 W |
| Qg-GateCharge | 40 nC |
| Qg-栅极电荷 | 40 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 80 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 80 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 4.5 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 4.5 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.5 V to 6 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.5 V to 6 V |
| 上升时间 | 60 ns |
| 下降时间 | 127 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 6.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1730pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 85 欧姆 @ 50mA， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-268 |
| 典型关闭延迟时间 | 58 ns |
| 功率-最大值 | 520W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 80 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 封装/箱体 | TO-268-2 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 0.46 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 4.5 kV |
| 漏极连续电流 | 1 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 4500V （4.5kV） |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/4500-v-power-mosfets/50198 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1A （Tc） |
| 系列 | IXTT1N450 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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