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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMP3030SN-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMP3030SN-7价格参考。Diodes Inc.DMP3030SN-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMP3030SN-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMP3030SN-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMP3030SN-7是一款单N沟道增强型MOSFET,广泛应用于各类电子设备中。其主要特点包括低导通电阻、高效率和良好的热稳定性,适用于需要高效功率管理的场景。 该器件常见应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、稳压器和电池充电电路中,提高能量转换效率。 2. 负载开关:在便携式设备(如智能手机、平板电脑)中作为电源开关,控制不同模块的供电。 3. 电机驱动:用于小型电机或风扇的控制电路中,实现快速开关和调速功能。 4. LED背光驱动:在显示设备中用于调节背光亮度,支持PWM调光方式。 5. 保护电路:作为电子负载或过流保护开关,提升系统安全性。 由于其封装小巧(SOT-26),适合高密度PCB布局,广泛用于消费电子、工业控制和通信设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 700MA SC59-3MOSFET 30V 700mA |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 700 mA |
| Id-连续漏极电流 | - 700 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMP3030SN-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMP3030SN-7 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 500 mW |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 160pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 250 毫欧 @ 400mA,10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-59-3 |
| 其它名称 | DMP3030SN7 |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 700mA (Ta) |
| 系列 | DMP3030SN |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |