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Datasheet下载- 型号： SI4884BDY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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SI4884BDY-T1-E3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4884BDY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4884BDY-T1-E3价格参考。VishaySI4884BDY-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 16.5A（Tc） 2.5W（Ta），4.45W（Tc） 8-SO。您可以下载SI4884BDY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4884BDY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4884BDY-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于需要高效功率控制的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，用于提高电源转换效率并减小系统功耗。 2. 电机控制：在电动工具、电动车及工业自动化设备中，用于控制直流电机的启停与调速。 3. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑和便携式仪器，用于电池充放电管理及电源切换。 4. 汽车电子：用于车载电源系统、LED照明驱动及电机控制模块，具备良好的热稳定性和可靠性。 5. 工业控制系统：如PLC、变频器和伺服驱动器中，实现高速开关和功率调节。 该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热性能，适合高频率开关应用，是中高功率场景中的常用器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | SI4884BDY-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1525pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4884BDY-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 4.45W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16.5A （Tc） |
