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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SUD50N024-09P-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUD50N024-09P-E3价格参考。VishaySUD50N024-09P-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SUD50N024-09P-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SUD50N024-09P-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SUD50N024-09P-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点。该器件广泛应用于需要高效功率转换与控制的电子系统中。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,提高能效并减小电路体积。 2. 电机驱动:适用于工业自动化设备、电动工具及家电中的直流电机控制。 3. 电池管理系统(BMS):在电动汽车、储能系统中作为充放电控制开关。 4. 逆变器与UPS系统:用于不间断电源或太阳能逆变器中实现高效的能量转换。 5. 汽车电子:如车载充电器、起停系统等对可靠性要求较高的场景。 该MOSFET具备较强的电流承载能力和良好的动态响应特性,适合高频开关应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 22V 49A TO252 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SUD50N024-09P-E3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9.5 毫欧 @ 20A,10V |
供应商器件封装 | TO-252,(D-Pak) |
功率-最大值 | 39.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 2,000 |
漏源极电压(Vdss) | 22V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 49A (Tc) |