Datasheet下载- 型号： PSMN004-60B,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN004-60B,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN004-60B,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN004-60B,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN004-60B,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN004-60B,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN004-60B,118 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的N沟道增强型功率MOSFET，具有60V耐压、极低导通电阻（RDS(on)典型值仅4.0 mΩ @ VGS=10V）、高电流能力（ID连续达120A）及优化的开关性能。其主要应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于服务器/通信设备中的同步整流BUCK转换器、POL（负载点）模块，凭借低RDS(on)显著降低导通损耗，提升效率与功率密度。 2. 电机驱动：适用于中小功率无刷直流（BLDC）电机控制、电动工具、风扇及工业泵的H桥或半桥驱动电路，支持高频PWM调制与快速开关。 3. 热插拔与电子保险丝：内置雪崩耐量与强鲁棒性，适合板级电源管理中的浪涌保护、过流限流及软启动控制。 4. LED照明驱动：用于高效率恒流驱动电路及调光控制开关，满足高可靠性与低热耗要求。 5. 电池管理系统（BMS）：作为充放电主回路开关或均衡开关，支持大电流通断与低功耗待机。 该器件采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具备优异的热性能与PCB散热能力，适用于空间受限且对能效、可靠性要求严苛的工业、通信与消费类电子应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN004-60B,118 |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 168nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.6 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-6592-6 |
| 功率-最大值 | 230W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
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