Datasheet下载- 型号： SIHB22N60E-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHB22N60E-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHB22N60E-E3价格参考。VishaySIHB22N60E-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIHB22N60E-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHB22N60E-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIHB22N60E-E3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，具有高耐压、大电流和低导通电阻的特点。该器件广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等，用于高效地进行电能转换与调节。 2. 电机控制：在电动工具、家用电器及工业自动化设备中作为电机驱动开关元件。 3. 照明系统：用于 LED 驱动电源或 HID 灯镇流器等高亮度照明控制系统。 4. 逆变器与变频器：在 UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及变频空调中实现直流到交流的电能变换。 5. 电池管理系统：如电动车、储能系统中的充放电控制电路。 6. 消费类电子产品：例如电视、音响设备中的电源部分。 该 MOSFET 具有 TO-220 封装，便于散热和安装，适用于多种中高功率应用场景。由于其具备良好的热稳定性和快速开关性能，SIHB22N60E-E3 在工业、消费电子及绿色能源领域均有广泛应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SIHB22N60E-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1920pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 86nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 180 毫欧 @ 11A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30391 |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | SIHB22N60EE3 |
| 功率-最大值 | 227W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 21A （Tc） |
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