Datasheet下载- 型号： SI5435BDC-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5435BDC-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5435BDC-T1-GE3价格参考。VishaySI5435BDC-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI5435BDC-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5435BDC-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5435BDC-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 直流-直流转换器 (DC-DC Converter)：SI5435BDC-T1-GE3 可用作同步整流器或主开关管，实现高效的电压转换。 - 负载开关 (Load Switch)：在便携式设备中，该 MOSFET 可用于动态控制负载的开启和关闭，减少功耗。 - 低压降稳压器 (LDO Regulator)：作为旁路开关，提高 LDO 的效率。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：适用于消费电子、家用电器中的小型直流电机驱动，提供高效率和快速响应。 - H 桥电路：在双向电机控制中，该 MOSFET 可用作 H 桥的一部分，支持正反向旋转。 3. 电池管理系统 (BMS) - 电池保护：在锂电池或可充电电池组中，用于过流保护、短路保护和充放电控制。 - 均衡电路：在多节电池组中，用于电池单元间的电压均衡。 4. 信号切换 - 高速信号切换：在通信设备或工业控制系统中，用于高频信号的切换，确保低损耗和快速响应。 - 音频信号切换：在音频设备中，用于切换不同的输入源，同时保持低噪声性能。 5. 汽车电子 - 车载电子设备：如信息娱乐系统、LED 照明控制、电动车窗等，利用其低导通电阻特性降低发热。 - 启停系统：在汽车启动和停止过程中，用于高效电流传输和保护。 6. 消费电子产品 - 智能手机和平板电脑：用于 USB 充电保护、快充协议管理和内部电源分配。 - 笔记本电脑：作为电源路径管理的一部分，优化电池寿命和系统性能。 7. 工业应用 - 传感器接口：在工业自动化中，用于驱动传感器或执行器，提供可靠且高效的开关功能。 - 继电器替代：在需要频繁开关的场合，用 MOSFET 替代机械继电器以提高寿命和可靠性。 特性优势 - 低导通电阻 (Rds(on))：降低功耗，提升整体效率。 - 高开关速度：适合高频应用，减少开关损耗。 - 小封装尺寸：节省 PCB 空间，便于小型化设计。 总之，SI5435BDC-T1-GE3 凭借其优异的电气特性和紧凑的封装形式，非常适合各种需要高效开关和低功耗的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8MOSFET 30V 5.9A 2.5W 45mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.3 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI5435BDC-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI5435BDC-T1-GE3SI5435BDC-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 45 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 45 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 45 毫欧 @ 4.3A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 其它名称 | SI5435BDC-T1-GE3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | 1206-8 ChipFET |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.3A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI5435BDC-GE3 |
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