Datasheet下载- 型号： GA10JT12-247
- 制造商： GeneSiC Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供GA10JT12-247由GeneSiC Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 GA10JT12-247价格参考。GeneSiC SemiconductorGA10JT12-247封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载GA10JT12-247参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有GA10JT12-247 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
GeneSiC Semiconductor的GA10JT12-247是一款碳化硅（SiC）功率MOSFET，属于晶体管中的FET类别。该器件采用高性能的碳化硅半导体技术，具备高耐压、低导通电阻和优异的开关特性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力电子系统。 该器件的典型应用场景包括： 1. 工业电源与UPS系统：用于不间断电源（UPS）、工业变频器和逆变器，提升能源转换效率并减小系统体积。 2. 电动汽车充电设备：适用于充电桩（EV Charger）中的功率转换模块，支持高效率、高功率密度的设计需求。 3. 可再生能源系统：如太阳能逆变器和储能系统，SiC MOSFET的高效特性有助于提高能量转换效率，适应高温和高压工作环境。 4. 电机驱动与伺服控制系统：在工业自动化设备中，用于高效控制电机运行，提升响应速度和系统稳定性。 5. 电信与服务器电源：用于高可靠性、高效率的DC-DC转换器和电源模块，满足数据中心和通信设备对节能和散热的严苛要求。 GA10JT12-247凭借其优异的材料特性和封装设计，适合在高温、高电压和高频开关环境中稳定运行，广泛应用于需要高效能功率管理的高端工业与能源系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS SJT 1.2KV 10A |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 超级结 |
| FET类型 | 碳化硅，常闭 |
| 品牌 | GeneSiC Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | GA10JT12-247 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 140 毫欧 @ 10A |
| 供应商器件封装 | TO-247AB |
| 其它名称 | 1242-1187 |
| 功率-最大值 | 91W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
| 设计资源 |
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