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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFX90N30由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFX90N30价格参考。IXYSIXFX90N30封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFX90N30参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFX90N30 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFX90N30是一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的MOSFET单管器件。该型号具有高电流、高耐压特性,其漏源电压(Vds)可达300V,连续漏极电流可达90A,适用于高功率开关应用。 IXFX90N30广泛应用于工业电源系统,如开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和DC-DC转换器中,因其低导通电阻和优异的开关性能,有助于提高能效并减少发热。此外,它也常用于电机驱动电路,包括交流/直流电机控制、电动工具和工业自动化设备,能够承受高启动电流和频繁开关操作。 在新能源领域,该MOSFET可用于太阳能逆变器和风能转换系统中的功率调节模块,支持高效能量转换。同时,由于其坚固的结构和良好的热稳定性,IXFX90N30也适用于焊接设备、电镀电源等高电流工业设备。 总之,IXFX90N30凭借其高电压、大电流和高可靠性,主要应用于工业控制、电力电子、可再生能源及高功率电源管理等领域,是中高功率开关电路中的关键元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 300V 90A PLUS247MOSFET 300V 90A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 90 A |
| Id-连续漏极电流 | 90 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFX90N30HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFX90N30 |
| Pd-PowerDissipation | 560 W |
| Pd-功率耗散 | 560 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 33 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 33 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 300 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 55 ns |
| 下降时间 | 40 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 360nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 33 毫欧 @ 45A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PLUS247™-3 |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
| 功率-最大值 | 560W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 7.300 g |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 33 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | PLUS 247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 70 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 300 V |
| 漏极连续电流 | 90 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 300V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 90A (Tc) |
| 系列 | IXFX90N30 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |