ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FCH072N60F
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FCH072N60F产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FCH072N60F由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCH072N60F价格参考。Fairchild SemiconductorFCH072N60F封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 52A(Tc) 481W(Tc) TO-247。您可以下载FCH072N60F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FCH072N60F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的FCH072N60F是一款N沟道增强型MOSFET,其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 开关电源(SMPS):该器件适用于各种开关模式电源设计,如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其低导通电阻和快速开关特性能够提高效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动:在工业自动化、家用电器以及电动工具中,用于控制电机的启动、停止及速度调节。例如,在变频空调、冰箱压缩机或吸尘器马达驱动电路中发挥关键作用。 3. 太阳能逆变器:作为功率级元件参与光伏系统中的直流到交流转换过程,帮助实现高效的能量传输与管理。 4. 不间断电源(UPS):为确保设备在断电情况下持续运行,UPS需要高性能的功率开关器件,而FCH072N60F正是理想选择之一。 5. 电动车/混合动力汽车(EV/HEV):可用于车载充电器、电池管理系统(BMS)以及牵引逆变器等核心部件中,支持电动汽车的动力需求。 6. PFC电路(功率因数校正):提高用电设备对电网的适应能力,改善输入电流波形,降低谐波失真。 7. 负载切换与保护:在通信基站、服务器和其他高可靠性应用中,用作负载切换开关或过流保护装置。 总之,FCH072N60F凭借其600V耐压、低Rds(on)、优化的动态性能以及坚固耐用的设计特点,非常适合要求高效、紧凑且可靠的功率转换和控制场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 52A TO247MOSFET 600V, 52A, 72mOhm N-Channel Mosfet |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 52 A |
| Id-连续漏极电流 | 52 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCH072N60FFRFET®, SuperFET® II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FCH072N60F |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 481 W |
| Pd-功率耗散 | 481 W |
| Qg-GateCharge | 165 nC |
| Qg-栅极电荷 | 165 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 65 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 65 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 38 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8660pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 215nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 72 毫欧 @ 26A, 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 典型关闭延迟时间 | 140 ns |
| 功率-最大值 | 481W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.390 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 42 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/fch072n60f-nchannel-superfetii-frfet-mosfet/51603http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-semiconductor-superfet-mosfets/4170 |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 52A (Tc) |
| 系列 | FCH072 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |