Datasheet下载- 型号： IXFN32N100Q3
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFN32N100Q3由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFN32N100Q3价格参考。IXYSIXFN32N100Q3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFN32N100Q3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFN32N100Q3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFN32N100Q3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）： IXFN32N100Q3具有高耐压（1000V）和低导通电阻的特点，适用于开关电源中的高频开关应用。它能够高效地控制电流的开启与关闭，适合于AC-DC或DC-DC转换器。 2. 逆变器： 在太阳能逆变器、电机驱动逆变器等应用中，该MOSFET可用于将直流电转换为交流电。其高电压承受能力和快速开关特性使其非常适合这些场景。 3. 电机驱动： 用于工业自动化设备中的电机驱动电路，例如步进电机、伺服电机或无刷直流电机（BLDC）。它可以精确控制电机的启动、停止和速度调节。 4. 电磁兼容性（EMC）保护电路： 由于其高耐压性能，IXFN32N100Q3可以用于设计抗电磁干扰的保护电路，确保系统在复杂电磁环境中稳定运行。 5. 负载开关： 在需要高压负载切换的应用中，如工业控制系统或测试设备，这款MOSFET可以用作高效的负载开关，实现对不同负载的动态管理。 6. 继电器替代方案： 在某些需要频繁切换的场景下，IXFN32N100Q3可以作为固态继电器的替代品，提供更长的使用寿命和更高的可靠性。 7. 脉宽调制（PWM）控制器： 适用于各种PWM控制电路，例如LED驱动器、加热器控制或音频放大器中的功率调节部分。 8. 高压测试设备： 由于其高达1000V的击穿电压，该器件可广泛应用于高压测试仪器和实验设备中，用于生成和控制高压信号。 总之，IXFN32N100Q3凭借其出色的电气特性和可靠性，特别适合需要高电压、高效率及快速响应的各种工业和电力电子应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/28A |
| 产品分类 | FET - 模块分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 28 A |
| Id-连续漏极电流 | 28 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFN32N100Q3HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFN32N100Q3 |
| Pd-PowerDissipation | 780 W |
| Pd-功率耗散 | 780 W |
| Qg-GateCharge | 195 nC |
| Qg-栅极电荷 | 195 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 320 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 320 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 300 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 6.5V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9940pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 195nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 320 毫欧 @ 16A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
| 功率-最大值 | 780W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | HiPerFET |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 封装/箱体 | SOT-227B-4 |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/ixys-q3-class-hiperfet-power-mosfet/1012 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 28A |
| 系列 | IXFN32N1003 |
| 配置 | Single |
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