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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BFL4026由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFL4026价格参考。ON SemiconductorBFL4026封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BFL4026参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BFL4026 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFL4026是安森美(ON Semiconductor)推出的一款N沟道增强型MOSFET,属于射频功率晶体管,广泛应用于高频、小信号放大场景。该器件特别适用于工作频率高达几GHz的无线通信系统,常见于蜂窝基站、无线基础设施、微波通信和射频模块中。 BFL4026具有优异的增益平坦性、低噪声系数和高线性度,适合用于低噪声放大器(LNA)和驱动放大器级,尤其在GSM、WCDMA、LTE及5G等移动通信频段表现良好。其高可靠性和稳定性也使其适用于点对点无线电链路、卫星通信和宽带无线接入系统。 此外,BFL4026采用小型化封装,便于高密度PCB布局,适合空间受限的射频设计。由于其良好的热稳定性和抗失配能力,能够在复杂电磁环境中保持稳定工作,因此在工业级和电信级设备中得到广泛应用。 总之,BFL4026主要应用于高性能射频前端模块,特别是在需要高频率、低噪声和高线性放大的通信系统中发挥关键作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 3.5A TO-220FI |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BFL4026 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 650pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.6 欧姆 @ 2.5A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-220FI(LS) |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 100 |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.5A (Ta) |