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Datasheet下载- 型号： DMN2015UFDE-7
- 制造商： Diodes Inc.
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DMN2015UFDE-7产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2015UFDE-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2015UFDE-7价格参考。Diodes Inc.DMN2015UFDE-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 10.5A（Ta） 660mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）。您可以下载DMN2015UFDE-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN2015UFDE-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN2015UFDE-7是一款单N沟道增强型MOSFET，适用于需要高效、低电压操作的电源管理与负载开关场景。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源管理模块，用于电池供电系统的高效能切换。 2. DC-DC转换器：适用于小型同步整流或负载开关应用，提供高效的直流电压转换。 3. 电机驱动电路：在低功率电机控制中作为开关元件使用，具有快速开关特性。 4. LED照明系统：用于LED驱动电路中的电流调节与开关控制，提高能效。 5. 工业控制系统：如PLC、传感器模块等低功耗工业设备中的电源切换与信号控制。 该器件采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度PCB布局；导通电阻低（典型值为8mΩ），可减少功率损耗；工作电压为20V，最大连续漏极电流可达4A，性能稳定可靠，广泛应用于中低压功率控制领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DMN2015UFDE-7 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1779pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11.6 毫欧 @ 8.5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | * |
| 其它名称 | DMN2015UFDE-7DIDKR |
| 功率-最大值 | 660mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10.5A （Ta） |
