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产品简介:
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STMicroelectronics 的 STL42N65M5 是一款高压、高性能的 N 沟道 MOSFET,采用先进的 MDmesh™ M5 技术,具有 650V 击穿电压和高导通性能。该器件主要适用于需要高效能和高可靠性的功率转换场景。 典型应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):广泛用于工业电源、服务器电源和电信电源中,因其低导通电阻(RDS(on))和优异的开关特性,有助于提升能效并降低功耗。 2. PFC(功率因数校正)电路:在升压式 PFC 拓扑中作为主开关器件,帮助实现高功率因数和低谐波失真,满足能源效率标准(如 Energy Star 和 CoC Tier 2)。 3. LED 驱动电源:适用于大功率 LED 照明系统,提供稳定高效的直流转换,支持长时间可靠运行。 4. 光伏逆变器:用于太阳能发电系统的 DC-DC 或 DC-AC 转换环节,提高能量转换效率。 5. 电机驱动与工业控制:在中小功率电机控制中作为开关元件,适用于变频器、电动工具等设备。 STL42N65M5 具备高雪崩耐量和良好的热稳定性,适合在高温、高电压环境下工作。其封装形式(如 TO-220FP 或类似)便于散热设计,广泛应用于对空间和效率要求较高的工业与消费类电子产品中。总体而言,这款 MOSFET 是现代高效电源系统中的关键元件。
参数 | 数值 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 34 A |
Id-连续漏极电流 | 34 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品目录 | 半导体 |
描述 | MOSFET N-Ch 650V 0.070Ohm 34A Mdmesh V |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL42N65M5 |
产品型号 | STL42N65M5 |
Pd-PowerDissipation | 208 W |
Pd-功率耗散 | 208 W |
Qg-GateCharge | 100 nC |
Qg-栅极电荷 | 100 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 79 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 79 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
产品种类 | MOSFET |
商标 | STMicroelectronics |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/箱体 | PowerFLAT-4 8x8 HV |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
系列 | STL42N65M5 |
配置 | Triple Common Source |