【未分类_IRF1405PBF】封装/厂家_IRF1405PBF中文资料_价格

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型号： IRF1405PBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF1405PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF1405PBF价格参考￥5.31-￥5.57。International RectifierIRF1405PBF封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IRF1405PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF1405PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRF1405PBF 是英飞凌（Infineon Technologies）生产的单个 FET/MOSFET 器件，属于功率 MOSFET 类型。它具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于多种电力电子应用场景。以下是 IRF1405PBF 的主要应用场景：

 1. 电源管理
   - DC-DC 转换器：IRF1405PBF 可用于高效 DC-DC 转换电路中，作为同步整流 MOSFET 或主开关 MOSFET，以实现高效的电压转换。
   - 降压/升压转换器：在需要高效功率转换的场合，例如汽车电子或工业设备中，该器件可以提供低损耗的开关性能。

 2. 电机驱动
   - 无刷直流电机（BLDC）驱动：在 BLDC 电机控制中，IRF1405PBF 可用作功率级开关，支持高频 PWM 控制，从而实现精确的速度和扭矩调节。
   - 步进电机驱动：在需要高效电流切换的应用中，如打印机、扫描仪等，该器件能够提供稳定的驱动能力。

 3. 太阳能逆变器
   - 在光伏系统中，IRF1405PBF 可用于 MPPT（最大功率点跟踪）控制器或逆变器模块，帮助将太阳能电池板产生的直流电高效转换为交流电。

 4. 电池管理系统（BMS）
   - 用于锂离子电池组的充放电保护电路中，作为开关元件控制电流流动，确保电池安全运行并延长寿命。

 5. 消费类电子产品
   - 音频放大器：在大功率音频放大器中，IRF1405PBF 可用作输出级晶体管，提供高效率和低失真。
   - 游戏机和笔记本电脑适配器：在这些设备的电源适配器中，该 MOSFET 可实现高效功率转换。

 6. 工业自动化
   - 固态继电器（SSR）：在工业控制领域，IRF1405PBF 可用于构建固态继电器，实现快速、可靠的开关功能。
   - 伺服驱动器：在精密运动控制中，该器件可提供高效且低损耗的功率输出。

 7. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）
   - 车载充电器（OBC）：在电动车的车载充电系统中，IRF1405PBF 可用于功率因数校正（PFC）和 DC-DC 转换部分。
   - 牵引逆变器：虽然其额定电压可能不适合直接用于主逆变器，但在辅助系统中仍可发挥重要作用。

 总结
IRF1405PBF 的高性能特性使其成为许多功率转换和控制应用的理想选择。凭借其低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，该器件能够在高频开关条件下保持高效运行，同时减少热量产生，提高整体系统的可靠性。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 55V 169A TO-220ABMOSFET MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	133 A
Id-连续漏极电流	133 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF1405PBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRF1405PBF
Pd-PowerDissipation	200 W
Pd-功率耗散	200 W
Qg-GateCharge	170 nC
Qg-栅极电荷	170 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	5.3 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	5.3 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	55 V
Vds-漏源极击穿电压	55 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	5480pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	260nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	5.3 毫欧 @ 101A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220AB
其它名称	*IRF1405PBF
功率-最大值	330W
功率耗散	200 W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
导通电阻	5.3 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
栅极电荷Qg	170 nC
标准包装	50
汲极/源极击穿电压	55 V
漏极连续电流	133 A
漏源极电压(Vdss)	55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	169A （Tc）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf1405.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf1405.spi
闸/源击穿电压	20 V