Datasheet下载- 型号： APT36N90BC3G
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供APT36N90BC3G由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APT36N90BC3G价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APT36N90BC3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载APT36N90BC3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有APT36N90BC3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
APT36N90BC3G是Microsemi Corporation生产的一款高压MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），具体为单N沟道MOSFET。该器件具有900V的高漏源击穿电压和36A的大电流承载能力，适用于高电压、中等功率的开关应用。 其主要应用场景包括工业电源系统，如开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和DC-DC转换器，能够在高效率和高可靠性要求的环境中稳定工作。此外，该MOSFET也广泛用于电机驱动系统，例如交流变频器和工业电机控制，凭借其低导通电阻和优良的开关特性，有助于降低能耗并提升系统效率。 在新能源领域，APT36N90BC3G可用于太阳能逆变器中，作为直流到交流转换的核心开关元件，支持高效能量转换。同时，它也适用于高压照明电源，如高强度气体放电灯（HID）镇流器，满足高启动电压和稳定运行的需求。 该器件采用TO-247封装，具备良好的热性能和电气绝缘能力，适合在高温、高应力环境下运行。综合来看，APT36N90BC3G适用于对可靠性、效率和耐压能力有较高要求的工业与能源类电力电子设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 36A TO-247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Microsemi Power Products Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=122681&Itemid=1898 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | APT36N90BC3G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 2.9mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7463pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 252nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 120 毫欧 @ 18A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-247 [B] |
| 功率-最大值 | 390W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 36A（Tc） |
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