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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TK3A65DA(STA4,QM)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK3A65DA(STA4,QM)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK3A65DA(STA4,QM)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TK3A65DA(STA4,QM)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TK3A65DA(STA4,QM) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TK3A65DA(STA4,QM)是东芝半导体(Toshiba Semiconductor and Storage)推出的一款N沟道MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),广泛应用于各类电子设备中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适用于需要高效能功率管理的场景。 典型应用场景包括:便携式电子产品(如智能手机、平板电脑)中的电源管理电路,用于电池充放电控制和负载开关;小型电源适配器与DC-DC转换器中,作为开关元件提升转换效率;LED照明驱动电路,实现稳定的电流控制与节能运行;以及消费类家电(如电动牙刷、无线耳机充电盒)中的电机驱动或电源切换模块。 此外,因其小型化封装(如SOP Advance),TK3A65DA特别适合空间受限的高密度印刷电路板设计,兼顾性能与紧凑布局需求。在工业控制、物联网设备及USB供电系统中也常被用作低电压、中低电流环境下的功率开关。 综上,TK3A65DA(STA4,QM)凭借其高可靠性与高效性能,主要服务于消费电子、便携设备和小型电源系统中的功率控制需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 2.5A TO-220SIS |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK3A65DA点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TK3A65DA(STA4,QM) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 490pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.51 欧姆 @ 1.3A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-220SIS |
| 其它名称 | TK3A65DA(STA4QM) |
| 功率-最大值 | 35W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.5A (Ta) |