Datasheet下载- 型号： IXFP130N10T2
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFP130N10T2由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFP130N10T2价格参考。IXYSIXFP130N10T2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFP130N10T2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFP130N10T2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFP130N10T2是一款N沟道增强型功率MOSFET，其主要应用场景包括以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS） - IXFP130N10T2适用于各种开关电源设计，如AC-DC或DC-DC转换器。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压（100V），能够高效地进行开关操作，降低功率损耗。 - 常见应用包括适配器、充电器、LED驱动电源等。 2. 电机驱动 - 该MOSFET可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为功率开关控制电机的启动、停止和速度调节。 - 其快速开关特性和较低的导通损耗使其在电机驱动应用中表现出色。 3. 逆变器 - 在光伏逆变器或其他类型的逆变器中，IXFP130N10T2可以用于功率级开关，实现高效的电能转换。 - 它的高电流能力（最大 drain 电流可达130A）支持更高的输出功率。 4. 负载切换与保护 - 该MOSFET可用作负载切换开关，控制电路中的负载通断。例如，在汽车电子系统中，用于电池管理系统（BMS）中的负载切换或过流保护。 - 其出色的热性能和可靠性确保了在恶劣环境下的稳定运行。 5. 脉宽调制（PWM）控制器 - IXFP130N10T2适合用作PWM信号的功率输出级，广泛应用于风扇调速、灯光调光等领域。 - 其低栅极电荷（Qg）特性有助于减少开关损耗，提高效率。 6. 不间断电源（UPS） - 在UPS系统中，该MOSFET可以用作功率转换的核心元件，提供稳定的备用电源支持。 - 它的高耐压和大电流能力满足UPS对可靠性和效率的要求。 7. 工业自动化设备 - IXFP130N10T2可用于工业控制领域，例如可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器等，作为功率输出或信号隔离的开关元件。 总结 IXFP130N10T2凭借其高耐压、大电流、低导通电阻和快速开关特性，非常适合需要高效功率转换和控制的应用场景。无论是消费电子、工业设备还是汽车电子领域，这款MOSFET都能提供可靠的性能支持。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 130A TO-220MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 130 A |
| Id-连续漏极电流 | 130 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFP130N10T2TrenchT2™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFP130N10T2 |
| Pd-PowerDissipation | 360 W |
| Pd-功率耗散 | 360 W |
| Qg-GateCharge | 130 nC |
| Qg-栅极电荷 | 130 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9.1 mOhms |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| 上升时间 | 38 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 130nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.1 毫欧 @ 65A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
| 功率-最大值 | 360W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | TrenchT2, HiperFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 45 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 130A （Tc） |
| 系列 | IXFP130N10 |
| 通道模式 | Enhancement |
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