Datasheet下载- 型号： SPP04N60C3XKSA1
- 制造商： Infineon
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SPP04N60C3XKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SPP04N60C3XKSA1价格参考。InfineonSPP04N60C3XKSA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SPP04N60C3XKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SPP04N60C3XKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的SPP04N60C3XKSA1是一款晶体管 - FET，MOSFET - 单型号，属于高性能功率MOSFET产品系列。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - SPP04N60C3XKSA1适用于各种开关电源设计，包括AC-DC和DC-DC转换器。其高电压耐受能力（600V）使其非常适合高压环境下的开关应用。 - 在PFC（功率因数校正）电路中，该器件可以作为主开关元件，提供高效的功率转换。 2. 电机驱动 - 用于工业电机驱动、家用电器中的电机控制等场景。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功耗，提高效率。 - 可应用于步进电机、无刷直流电机（BLDC）或有刷直流电机的驱动电路中。 3. 逆变器 - 在太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和其他电力逆变器中，SPP04N60C3XKSA1可以用作开关元件，实现高效的能量转换。 - 其快速开关速度和低损耗特性有助于提高逆变器的整体效率。 4. 电动汽车（EV）与混合动力汽车（HEV） - 用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换器和辅助系统中，支持电动汽车的高效能量管理。 - 在电池管理系统（BMS）中，可用于保护电路或开关功能。 5. 工业自动化 - 在工业自动化设备中，如PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器和机器人控制系统中，该MOSFET可用作开关或负载控制元件。 - 其高可靠性和耐用性适合恶劣的工业环境。 6. 家电与消费电子 - 应用于空调、冰箱、洗衣机等家用电器的压缩机驱动和风扇控制。 - 在LED照明驱动电路中，作为开关元件使用，提供稳定的电流输出。 7. 通信设备 - 在基站电源、通信服务器电源等高可靠性要求的应用中，SPP04N60C3XKSA1能够提供稳定的性能表现。 特点总结 - 高电压（600V）：适用于高压环境。 - 低导通电阻（Rds(on)）：降低功耗，提高效率。 - 快速开关速度：适合高频应用。 - 高可靠性：满足工业和汽车级应用需求。 综上所述，SPP04N60C3XKSA1广泛应用于需要高效功率转换、高可靠性和低损耗的各类场景，尤其是在高压和高频环境中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220MOSFET CoolMOS N-Chan 650V 4.5A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies SPP04N60C3XKSA1CoolMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/SPP_A04N60C3_Rev.3.1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dd6a14900点击此处下载产品Datasheet |
| 产品型号 | SPP04N60C3XKSA1 |
| Pd-PowerDissipation | 50 W |
| Pd-功率耗散 | 50 W |
| Qg-GateCharge | 19 nC |
| Qg-栅极电荷 | 19 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 850 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 850 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 2.5 ns |
| 下降时间 | 9.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.9V @ 200µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 490pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 950 毫欧 @ 2.8A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25212http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
| 其它名称 | SP000681024 |
| 典型关闭延迟时间 | 58.5 ns |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 隔离片 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 4.4 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Tc） |
| 系列 | SPP04N60 |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SP000681024 |
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