Datasheet下载- 型号： PSMN8R5-100PSQ
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN8R5-100PSQ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN8R5-100PSQ价格参考。NXP SemiconductorsPSMN8R5-100PSQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN8R5-100PSQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN8R5-100PSQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN8R5-100PSQ 是 NXP（恩智浦）推出的高性能 N 沟道增强型 MOSFET，采用 LFPAK56（Power-SO8）封装，具有低导通电阻（Rds(on) 典型值 8.5 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=100A）及优异的开关性能与热稳定性。其典型应用场景包括： - 高效DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK/BOOST电路，提升转换效率并降低温升； - 电机驱动系统：适用于中小功率无刷直流（BLDC）电机控制器（如风扇、泵、电动工具），支持高频PWM驱动与快速关断； - 负载开关与电源管理：在主板、工控板、嵌入式系统中用作高侧/低侧电源开关，实现上电时序控制、浪涌抑制及过流保护； - 电池供电设备：因低Rds(on)和小封装，适用于便携式医疗设备、POS终端等对能效与空间敏感的应用； - LED照明驱动：用于恒流调光电路或高亮度LED阵列的开关控制，兼顾效率与EMI性能。 该器件通过AEC-Q101认证（注：PSMN8R5-100PSQ为工业级，非车规；同系列有车规型号如PSMN8R5-100PSF），具备强抗雪崩能力与稳健的ESD防护，适用于高可靠性工业环境。需配合优化PCB布局（短路径、充足铜箔散热）及合理栅极驱动设计以发挥最佳性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N CH 100V 100A TO-220MOSFET PSMN8R5-100PS/SIL3P/RAILH |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS不受无铅要求限制 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN8R5-100PSQ- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN8R5-100PSQ |
| Pd-PowerDissipation | 263 W |
| Pd-功率耗散 | 263 W |
| Qg-GateCharge | 111 nC |
| Qg-栅极电荷 | 111 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 22.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 22.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 35 ns |
| 下降时间 | 43 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5512pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 111nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.5 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-10160-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 87 ns |
| 功率-最大值 | 263W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tj） |
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