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  • 型号: PSMN8R5-100PSQ
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN8R5-100PSQ由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN8R5-100PSQ价格参考。NXP SemiconductorsPSMN8R5-100PSQ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN8R5-100PSQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN8R5-100PSQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PSMN8R5-100PSQ 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 通道功率 MOSFET,属于晶体管中的 FET(场效应晶体管)类别。该器件具有低导通电阻(RDS(on))、高效率和优良的热性能,适用于需要高效能功率开关的应用场景。

其主要应用场景包括:  
1. 电源管理:广泛用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和 AC-DC 电源模块中,实现高效的电压转换与稳压。  
2. 电机驱动:适用于工业控制、电动工具和家用电器中的直流电机或步进电机驱动电路,提供快速响应和低功耗控制。  
3. 照明系统:在 LED 驱动电源中作为主开关元件,支持高亮度 LED 的稳定工作,提升能效。  
4. 汽车电子:用于车载电源系统、车身控制模块(如车窗升降、座椅调节)等,满足汽车级可靠性要求。  
5. 消费电子:应用于笔记本电脑、显示器、充电器等设备的电源部分,实现小型化与高效率设计。

该 MOSFET 具有 100V 耐压和较高电流承载能力,结合其封装优势(可能为 LFPAK 或类似高性能封装),适合紧凑型高功率密度设计,并具备良好的散热性能。总体而言,PSMN8R5-100PSQ 是一种高性能功率开关器件,适用于对效率、可靠性和空间布局有较高要求的中高功率电子系统。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N CH 100V 100A TO-220MOSFET PSMN8R5-100PS/SIL3P/RAILH

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

100 A

Id-连续漏极电流

100 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS不受无铅要求限制 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN8R5-100PSQ-

数据手册

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产品型号

PSMN8R5-100PSQ

Pd-PowerDissipation

263 W

Pd-功率耗散

263 W

Qg-GateCharge

111 nC

Qg-栅极电荷

111 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

22.6 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

22.6 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

35 ns

下降时间

43 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5512pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

111nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8.5 毫欧 @ 25A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

568-10160-5
934067376127
PSMN8R5100PSQ

典型关闭延迟时间

87 ns

功率-最大值

263W

包装

管件

商标

NXP Semiconductors

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100A (Tj)

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