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SI4628DY-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4628DY-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4628DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4628DY-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 38A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO。您可以下载SI4628DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4628DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4628DY-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于需要高效功率控制的电子电路中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于笔记本电脑、电源适配器、DC-DC 转换器等设备中的负载开关和电源切换,具备低导通电阻,有助于提高能效并减少发热。 2. 电池供电设备:广泛用于手持设备、移动电源、平板电脑等便携式电子产品中,用于控制电池与负载之间的连接,实现低功耗管理和过载保护。 3. 电机控制与负载开关:可用于小型电机、继电器或 LED 灯等负载的开关控制,具备良好的开关特性和热稳定性。 4. 汽车电子系统:如车载电源系统、车身控制模块(BCM)中,用于控制灯光、风扇、泵等负载,满足汽车环境对可靠性和耐温性的要求。 5. 工业控制系统:在工业自动化设备中作为功率开关元件,用于控制传感器、执行器或小型驱动器的通断。 该器件采用小型封装(如 TSOP),适合高密度 PCB 设计,且具备较高的耐用性和稳定性,适合中低功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 38A 8SOICMOSFET 30V 38A 7.8W 3.0mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 38 A |
| Id-连续漏极电流 | 38 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4628DY-T1-GE3SkyFET®, TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4628DY-T1-GE3SI4628DY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.5 W |
| Pd-功率耗散 | 3.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3450pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 87nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3 毫欧 @ 20A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4628DY-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 39 ns |
| 功率-最大值 | 7.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 73 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 38A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 零件号别名 | SI4628DY-GE3 |