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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQAF22P10由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQAF22P10价格参考。Fairchild SemiconductorFQAF22P10封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQAF22P10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQAF22P10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQAF22P10 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款P沟道MOSFET,主要应用于电源管理和负载开关等场景。该器件具有较低的导通电阻(Rds(on)),可提高能效并减少发热,适用于需要高效能和高可靠性的场合。 常见应用场景包括: 1. 电源管理系统:用于DC-DC转换器、电池供电设备中的电源切换与管理,提升系统能效。 2. 负载开关:作为高侧或低侧开关,控制电机、风扇、LED灯等负载的通断。 3. 逆变器与转换器:在UPS(不间断电源)、太阳能逆变器等设备中用于功率转换。 4. 工业控制:用于工业自动化设备中的电机驱动或继电器替代方案,提升响应速度和可靠性。 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、车灯控制、电池管理系统等场景。 该MOSFET采用先进的封装技术,具备良好的热性能和电流承载能力,适合在中高功率应用中使用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 100V 16.6A TO-3PF |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQAF22P10 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1500pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 125 毫欧 @ 8.3A,10V |
供应商器件封装 | TO-3PF |
功率-最大值 | 70W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | SC-94 |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 16.6A (Tc) |