Datasheet下载- 型号： SISA18ADN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SISA18ADN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SISA18ADN-T1-GE3价格参考。VishaySISA18ADN-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SISA18ADN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SISA18ADN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SISA18ADN-T1-GE3 是一款P沟道增强型MOSFET，属于单MOSFET晶体管，常用于低电压、低功耗的电源管理与开关控制场景。该器件采用先进的功率MOSFET技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关效率和良好的热稳定性，适合在紧凑型电子设备中使用。 典型应用场景包括：便携式电子产品（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源开关与负载管理；电池供电系统的反向极性保护和电池隔离；DC-DC转换电路中的同步整流或高端/低端开关；以及各类消费类电子和工业控制中的信号切换与电源通断控制。 SISA18ADN-T1-GE3 采用小型化封装（如PowerPAK® SC-70 或类似），节省PCB空间，适用于对尺寸敏感的高密度设计。其低阈值电压特性使其能与3.3V或更低逻辑电平直接兼容，无需额外驱动电路，提升了系统集成度与能效。 此外，该器件符合RoHS环保标准，可靠性高，适合自动化贴装工艺，在现代电子设备中广泛用于高效、小型化的电源解决方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SISA18ADN-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30392 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SISA18ADN-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 19.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 38.3A (Tc) |
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